GMC3876 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. – NPN Low Frequency Amplifier Transistor

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMC3876
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
ICBO
VCB=35V,
IE=0
—
—
0.1 μA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
IEBO
VEB=5V,
IC=0
—
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
V(BR)CBO
IC=100μA
35
—
0.1 μA
—
—
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
V(BR)CEO IC=1.0mA
30
Emitter-Base Breakdown Votlage
發射極-基極擊穿電壓
V(BR)EBO IE=100μA
5
DC Current Gain
直流電流增益
HFE1
VCE=1V,
IC=100mA
70
—
—
V
—
—
V
— 400 —
DC Current Gain
直流電流增益
HFE2
VCE=6V, 25(O)
IC=400mA 40(Y)
—
—
—
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
VCE(sat)
IC=100mA,
IB=10mA
—
0.1 0.25 V
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
Base-Emitter Saturation
基極-發射極電壓
Transition Frequency
特徵頻率
Collector Output Capacitance
輸出電容
VBE(sat)
IC=100mA,
IB=10mA
—
—
1.0
V
VBE
VCE=1V,
IC=100mA
—
0.8
1.0
V
fT
VCE=6V,
IC=20mA
—
300
— MHz
Cob
VCB=6V,IE=0,
f=1MHz
—
7
—
pF