GMA733 Datasheet, PDF (2/3 Pages) Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. – SOT-23

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA733
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(T_A=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
I_CBO
V_CB=-60V,
I_E=0
—
I_EBO
V_EB=-5V,
I_C=0
—
— -0.1 μA
— -0.1 μA
V_(BR)CBO I_C=-5μA
-60
—
—
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
V_(BR)CEO I_C=-1.0mA
-50
—
—
V
Emitter-Base Breakdown Votlage
發射極-基極擊穿電壓
V_(BR)EBO I_E=-50μA
-5
—
—
V
DC Current Gain
直流電流增益
H_FE
V_CE=-6V,
120
I_C=-1mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
V_CE(sat)
I_C=-100mA,
I_B=-10mA
—
Base-Emitter Saturation
基極-發射極電壓
V_BE
V_CE=-6V,
I_C=-1mA
—
Transition Frequency
特徵頻率
f_T
V_CE=-6.0V,
50
I_C=-10mA
— 475 —
— -0.3 V
— -0.68 V
—
— MHz