GM846 Datasheet, PDF (2/3 Pages) Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. – NPN General Purpose Transistor

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM846,847,848(销售型號 BC846,847,848)
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
■OFF CHARACTERISTICS 截止電特性
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V_(BR)CEO
集電極發射極擊穿電壓
846A,B
65
(Ic=10mAdc,I_B=0)
847A,B,C
45
848A,B,C
30
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極基極擊穿電壓
(Ic=10μAdc,I_E=0)
V_(BR)CBO
846A,B
80
847A,B,C
50
848A,B,C
30
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極基極擊穿電壓
(I_E=10μAdc,Ic=0)
V_(BR)EBO
846A,B
6.0
847A,B,C
6.0
848A,B,C
5.0
Collector Cutoff Current(V_CB=30v)
集電極截止電流(V_cB=30Vdc,TA=150℃)
I_CBO
—
■ON CHARCTERISTICS 導通電特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
Typ
最小值 典型值
DC Current Gain 直流電流增益
HFE
(I_c=10uAdc,V_CE=5.0Vdc)
846A, 847A, 848A
90
846B, 847B, 848B
150
847C, 848C
270
(I_c=2.0mAdc,V_CE=5.0Vdc)
846A, 847A, 848A 110
180
846B, 847B, 848B 200
290
847C, 848C
420
520
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極發射極飽和壓降
(I_c=10mAdc, I_B=0.5mAdc)
(I_c=100mAdc, I_B=5.0mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
基極發射極飽和壓降
(I_c=10mAdc, I_B=0.5mAdc)
(I_c=100mAdc, I_B=5.0mAdc)
Base-Emitter Voltage
基極發射極電壓
(I_c=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc)
(I_c=10mAdc, VCE=5.0Vdc)
V_CE(sat)
V_BE(sat)
VBE(on)
—
—
0.7
0.9
580
660
—
—
Max
最大值
—
—
—
1.5
5.0
Max
最大值
—
220
450
800
0.25
0.6
700
770
Unit
單位
Vdc
Vdc
Vdc
nA
uA
Unit
單位
—
Vdc
Vdc
mV