GM8205A Datasheet, PDF (2/4 Pages) Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. – Dual N-channel 20V,TSSOP-8MOSFET

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
▉Electerical Characteristics 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol Min
符號 最小值
Typ Max
典型值 最大值
GM8205A
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(ID =250uA,VGS=0V)
BV_DSS
20
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(ID =250uA,V_GS= V_DS)
VGS_(th)
0.5
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(V_GS=0V, V_DS= 20V)
Gate Body Leakage
栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V)
I_DSS
—
I_GSS
—
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID=7A,V_GS=4.5V)
(ID=6A,V_GS=2.5V)
RDS(ON)
—
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(ISD=1.7A,V_GS=0V)
VSD
—
Input Capacitance 輸入電容
(V_GS=0V, V_DS=10V,f=1MHz)
C_ISS
—
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容(VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz)
COSS
—
Reverse Transfer Capacitance 反向传輸電容
(VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz)
C_RSS
—
Gate Source Charge 栅源電荷密度
(V_DS=10V, I_D=3A, V_GS=4.5V)
Q_gs
—
Gate Drain Charge 栅漏電荷密度
(VDS=10V, ID=3A, VGS=4.5V)
Q_gd
—
Turn-On Delay Time 開启延迟時間
(VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V)
t_d(on)
—
Turn-On Rise Time 開启上升時間
(V_DS=10V, I_D=1A, R_GEN=6Ω,V_GS=4.5V)
t_r
—
Turn-Off Delay Time 關断延迟時間
(V_DS=10V, I_D=1A, R_GEN=6Ω,V_GS=4.5V)
t_d(off)
—
Turn-On Fall Time 開启下降時間
(VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V)
t_f
—
—
—
V
—
1.0
V
—
1
uA
—
+100
nA
20
25
mΩ
35
40
—
1.2
V
700
—
pF
175
—
pF
85
—
pF
1.2
—
nC
1.9
—
nC
8
—
ns
10
—
ns
18
—
ns
5
—
ns