GM817 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. – NPN Low Frequency Amplifier Transistor

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM817(销售型號 BC817)
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(T_A=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
Max
最小值 最大值
■OFF CHARACTERISTICS 截止電特性
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極發射極擊穿電壓(Ic=10mA,I_B=0)
V_(BR)CEO
45
—
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極基極擊穿電壓(Ic=10uA,V_EB=0)
V_(BR)CBS
50
—
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極基極擊穿電壓(I_E=1.0uA,Ic=0)
V_(BR)EBO
5.0
—
Collector Cutoff Current
集電極截止電流(V_CB=20v)
(V_CB=20V,TA=150℃)
I_CBO
—
100
—
5.0
■ON CHARCTERISTICS 導通電特性
Characteristic
特性參數
DC Current Gain 直流電流增益
(I_c=100mA,V_CE=1.0V)
(I_c=500mA,V_CE=1.0V)
Collector-Emitter Saturation Voltage 集
電極-發射極飽和壓降(Ic=500mA, IB=50mA)
Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發
射極飽和壓降(Ic=500mA, IB=50mA)
Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓
(I_c=500mA, VCE=1.0V)
Symbol
符號
HFE
817-16
817-25
817-40
V_CE(sat)
V_BE(sat)
VBE(on)
Min
Typ
Max
最小值 典型值 最大值
100
—
250
160
—
400
250
—
600
40
—
—
—
—
0.7
—
—
1.2
—
—
1.2
■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性
Current-Gain-Bandwidth Product
電流增益-帶寬乘積
(I_c=10mA,V_CE=5.0V,f=100MHz)
fT
100
—
—
Output Capacitance
輸出電容(V_CB=10V, f=1.0MHz)
Cobo
—
10
—
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
Unit
單位
V
V
V
nA
uA
Unit
單位
—
V
V
V
MHz
pF