GM5401 Datasheet, PDF (1/3 Pages) GTM CORPORATION – PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

GM5401
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
■MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic
特性參數
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
Collector Current—Continuous
集電極電流-連續
Symbol
符號
V_CEO
V_CBO
V_EBO
Ic
■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
Characteristic
特性參數
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1)
T_A=25℃環境溫度 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
Total Device Dissipation 總耗散功率
Alumina Substrate 氧化鋁襯底(2) T_A=25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
■DEVICE MARKING 打標
Symbol
符號
P_D
RΘ_JA
P_D
RΘ_JA
T_J,T_stg
GM5401=2L
Rating
額定值
-150
-160
-5.0
-500
Unit
單位
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Max
最大值
225
1.8
Unit
單位
mW
mW/℃
556
℃/W
300
mW
2.4
mW/℃
417
℃/W
150℃, -55to+150℃