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GM2301_15 Datasheet, PDF (1/3 Pages) Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. – SOT-23 Field Effect Transistors
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM2301
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
P 沟道增强型 MOS 场效应管
■MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
BVDSS
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
VGS
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
ID
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
IDM
Total Device Dissipation
總耗散功率
PD
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Junction 結溫
TJ
Storage Temperature 儲存溫度
Tstg
■DEVICE MARKING 打標
GM2301=A1
Max
最大值
-20
+10
-2.8
-10
900
150
-55to+150
Unit
單位
V
V
A
A
mW
℃
℃