MURJ1620CT Datasheet, PDF (2/6 Pages) Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. – Ultrafast Recovery Diode in a TO-220S Plastic Package

MURJ1620CT
Rev.E Mar.-2016
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
RMS Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
Non Repetitive Peak Surge Current
Thermal Resistance Junction to Case
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
符号
Symbol
V_RRM
V_RMS
V_DC
I_F
I_FSM
R_θJc
T_j
T_stg
DATA SHEET
数值
Rating
200
140
200
2×8
120
2.9
150
-55～150
单位
Unit
V
V
V
A
A
℃ /W
℃
℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
I_F=2A
Tc=25℃
0.80
V
Forward Voltage
I_F=2A
V_F
I_F=8A
Tc=125℃
Tc=25℃
0.66
V
0.93 1
V
I_F=8A
Tc=125℃
0.82 0.9
V
Instantaneous Reverse Current
I_R ^VR=200V
（_{Note 1}） _VR=200V
Ta=25℃
Ta=125℃
10
μA
150 μA
Reverse Recovery Time
注/Notes：
t_rr
I_R=1.0A I_RR=0.25A
I_F=0.5A
35
ns
1. 使用极短的测试时间，以尽量减少自热效应。/Short duration pulse test used to minimize self-heating
effect.
2. 除非特别注明，数值为一个芯片的参数。/ Unless otherwise noted, values for the parameters of a
single chip
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