MURF1220CT Datasheet, PDF (2/6 Pages) Thinki Semiconductor Co., Ltd. – 12.0 Ampere Isolated Dual Common Cathode Fast Recovery Rectifiers

MURF1220CT
Rev.F Mar.-2016
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
RMS Voltage
DC Blocking Voltage
Average Forward Current
Non Repetitive Peak Surge Current
Thermal Resistance Junction to Case
Storage Temperature Range
符号
Symbol
V_RRM
V_RMS
V_DC
I_F
I_FSM
R_θJc
T_j T_stg
DATA SHEET
数值
Rating
200
140
200
2×6
100
3.3
-55～150
单位
Unit
V
V
V
A
A
℃ /W
℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数
Parameter
Forward Voltage
Instantaneous Reverse Current
Reverse Recovery Time
符号
测试条件
最小值 典型值
Symbol Test Conditions
Min Typ
I_F=2A
Tc=25℃
0.82
I_F=2A
V_F
I_F=6A
Tc=125℃
Tc=25℃
0.68
0.92
I_F=6A
Tc=125℃
0.82
V_R=200V Ta=25℃
I_R
V_R=200V Ta=125℃
t_rr
I_R=1.0A, I_RR=0.25A
I_F=0.5A
最大值
Max
1.0
0.9
10
150
35
单位
Unit
V
V
V
V
μA
μA
ns
注/Notes：
1. 使用极短的测试时间，以尽量减少自热效应。/Short duration pulse test used to minimize self-heating
effect.
2. 除非特别注明，数值为一个芯片的参数。/ Unless otherwise noted, values for the parameters of a
single chip
http://www.fsbrec.com
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