MUR860D Datasheet, PDF (2/6 Pages) Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. – Ultrafast Recovery Diode in a TO-252 Plastic Package

MUR860D
Rev.F Jun.-2016
DATA SHEET
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
Non Repetitive Peak Surge Current
Thermal resistance, junction to case
Junction and Storage Temperature Range
符号
Symbol
V_RRM
V_RMS
I_F
I_FSM
R_θJc
T_j，T_stg
数值
Rating
600
420
8
125
3.5
-55～150
单位
Unit
V
V
A
A
℃ /W
℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
最小值 典型值 最大值 单位
Min Typ Max Unit
Reverse Voltage
V_BR I_R=100uA
600
V
I_F=8A
Tc=25℃
1.4 1.7
V
Forward Voltage
V_F I_F=16A
Tc=25℃
1.7 2.1
V
I_F=8A
Tc=125℃
1.4 1.7
V
Instantaneous Reverse Current
I_R
（_{Note 1}）
V_R=600V
V_R=480V
V_R=600V
Ta=25℃
Ta=125℃
Ta=125℃
5
uA
300 uA
500 uA
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
注/Notes：
C_T V_R=200V
t_rr
I_F=0.5A,
I_R=1.0A,
I_RR=0.25A
25
pF
50
ns
1. 使用极短的测试时间，以尽量减少自热效应。/Short duration pulse test used to minimize self-heating
effect.
2. 除非特别注明，数值为一个芯片的参数。/ Unless otherwise noted, values for the parameters of a
single chip
http://www.fsbrec.com
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