MUR2040BCT Datasheet, PDF (2/6 Pages) Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. – Ultrafast Recovery Diode in a TO-263 Plastic Package

MUR2040BCT
Rev.F May.-2016
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
RMS Voltage
DC Blocking Voltage
Average Forward Current
Non Repetitive Peak Surge Current
Thermal Resistance Junction to Case
Operating and Storage Temperature Range
符号
Symbol
V_RRM
V_RMS
V_DC
I_F
I_FSM
R_θJc
T_j，T_stg
DATA SHEET
数值
Rating
400
280
400
2×10
125
2.8
-55～150
单位
Unit
V
V
V
A
A
℃/W
℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数
Parameter
Forward Voltage
Instantaneous Reverse Current
Reverse Recovery Time
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max
I_F=2A
Tc=25℃
0.93 1.1
I_F=2A
V_F
I_F=10A
Tc=150℃
Tc=25℃
0.69 0.8
1.15 1.3
I_F=10A
Tc=150℃
0.96 1.1
I_R ^{VR=400V Ta=25℃}
1.0
（_{Note 1}） _{VR=400V Ta=150℃}
100
t_rr
I_F=0.5A,
I_R=1.0A,
I_RR=0.25A
50
单位
Unit
V
V
V
V
μA
μA
ns
注/Notes：
1. 使用极短的测试时间，以尽量减少自热效应。/Short duration pulse test used to minimize self-heating
effect.
2. 除非特别注明，数值为一个芯片的参数。/ Unless otherwise noted, values for the parameters of a
single chip
http://www.fsbrec.com
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