MUR1660CT Datasheet, PDF (2/6 Pages) Sirectifier Semiconductors – Ultra Fast Recovery Diodes

MUR1660CT
Rev.F Mar.-2016
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
RMS Voltage
DC Blocking Voltage
Average Forward Current
Non Repetitive Peak Surge Current
Thermal Resistance Junction to Case
Operating and Storage Temperature Range
符号
Symbol
V_RRM
V_RMS
V_DC
I_F
I_FSM
R_θJc
T_j、T_stg
DATA SHEET
数值
Rating
600
420
600
2×8
125
2.5
-55～175
单位
Unit
V
V
V
A
A
℃ /W
℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数
Parameter
Forward Voltage
Instantaneous Reverse Current
Reverse Recovery Time
符号
测试条件
Symbol
Test Conditions
I_F =8A(T_C=25℃)
I_F =8A(T_C=150℃)
V_F
I_F =16A(T_C=125℃)
I_F =16A(T_C=150℃)
V_R=600V(T_a=25℃)
I_R
V_R=600V(T_a=150℃)
t_rr
I_F=0.5A
I_R=1.0A
I_RR=0.25A
最小值 典型值 最大值
Min Typ Max
1.8
1.05 1.3
2.0
1.28 1.6
5
16 100
单位
Unit
V
V
V
V
μA
μA
50
ns
注/Notes：
1. 使用极短的测试时间，以尽量减少自热效应。/Short duration pulse test used to minimize self-heating
effect.
2. 除非特别注明，数值为一个芯片的参数。/ Unless otherwise noted, values for the parameters of a
single chip
http://www.fsbrec.com
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