LV30150FCT Datasheet, PDF (2/6 Pages) Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. – Schottky Diode in a TO-220F Plastic Package

LV30150FCT
Rev.F Mar.-2016
DATA SHEET
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Voltage
Average Rectified Forward Current(total)
Non Repetitive Peak Surge Current
Thermal Resistance Junction to Case
Junction and Storage Temperature Range
符号
Symbol
V_RM
V_RSM
V_DC
V_RMS
I_F(AV)
I_FSM
R_θJc
T_j T_stg
数值
Rating
150
105
2×15
250
4.6
-40～+150
单位
Unit
V
V
A
A
℃ /W
℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数
Parameter
Breakdown Voltage
Forward Voltage
Instantaneous Reverse Current
符号
Symbol
V_BR
V_F
I_R（_{Note 1}）
测试条件
Test Conditions
I_R=1mA(Ta=25℃ )
I_F =5A(Ta=25℃)
I_F =10A(Ta=25℃)
I_F =15A(Ta=25℃)
I_F =5A(Ta=125℃)
I_F =10A(Ta=125℃)
I_F =15A(Ta=125℃)
V_R=150V(Ta=25℃)
V_R=150V(Ta=125℃)
最小值 典型值
Min Typ
150
0.69
0.76
0.81
0.55
0.62
0.67
4.0
5.0
最大值
Max
0.75
0.85
0.90
0.75
20
10
单位
Unit
V
V
V
V
V
V
V
μA
mA
注/Notes：
1. 使用极短的测试时间，以尽量减少自热效应。
Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
2. 除非特别注明，数值为一个芯片的参数。
Unless otherwise noted, values for the parameters of a single chip
http://www.fsbrec.com
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