LV20100CT Datasheet, PDF (2/6 Pages) Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. – Schottky Barrier Diode in a TO-220 Plastic Package

LV20100CT
Rev.F Mar.-2016
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Average forward rectified current
Non Repetitive Peak Surge Current
Thermal Resistance Junction to Case
Junction and Storage Temperature Range
符号
Symbol
V_RRM
I_F(AV)
I_FSM
R_θJc
T_j T_stg
DATA SHEET
数值
Rating
100
2×10
150
2
-40～+150
单位
Unit
V
A
A
℃/W
℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数
Parameter
Breakdown Reverse Voltage
Forward Voltage
Instantaneous Reverse Current
符号
测试条件
Symbol
Test Conditions
V_BR I_R=1mA(Ta=25℃)
I_F =5A(Ta=25℃)
I_F =10A(Ta=25℃)
V_F
I_F =5A(Ta=125℃)
I_F =10A(Ta=125℃)
I_R ^{VR=100V(Ta=25℃)}
（_{Note 1}） _{VR=100V(Ta=125℃)}
最小值 典型值 最大值
Min Typ Max
100
0.55 0.65
0.65 0.79
0.50 0.60
0.62 0.68
100
10
25
单位
Unit
V
V
V
V
V
μA
mA

注/Notes：
1. 使用极短的测试时间，以尽量减少自热效应。/Short duration pulse test used to minimize self-heating
effect.
2. 除非特别注明，数值为一个芯片的参数。/ Unless otherwise noted, values for the parameters of a
single chip
http://www.fsbrec.com
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