FD400R12KF4 Datasheet, PDF (2/5 Pages) eupec GmbH – Marketing Information

FD 400 R 12 KF 4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
t_p=1 ms
t_C=25°C, Transistor /transistor
t_p=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
V_CES
I_C
I_CRM
P_tot
V_GE
I_F
I_FRM
V_ISOL
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
gate threshold voltage
input capacity
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro puls
turn-on energie per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energie loss per pulse
i_C=400A, v_GE=15V, t_vj=25°C
i_C=400A, v_GE=15V, t_vj=125°C
i_C=16mA, v_CE=v_GE, t_vj=25°C
f_O=1MHz,t_vj=25°C,v_CE=25V, v_GE=0V
v_CE=1200V, v_GE=0V, t_vj=25°C
v_CE=1200V, v_GE=0V, t_vj=125°C
v_CE=0V, v_GE=20V, t_vj=25°C
v_CE=0V, v_EG=20V, t_vj=25°C
i _C=400A,v_CE=600V,v_L=±15V,R _G=3,6
i _C=400A,v_CE=600V,v_L=±15V,R _G=3,6
i _C=400A,v_CE=600V,v_L=±15V,R _G=3,6
i _C=400A,v_CE=600V,v_L=±15V,R _G=3,6
i _C=400A,v_CE=600V,v_L=±15V,R _G=3,6
i _C=400A,v_CE=600V,v_L=±15V,R _G=3,6
i_C=400A, v_CE=600V, L_s=70nH
v_L=±15V, R_G=3,6 , t_vj=125°C
i_C=400A, v_CE=600V, L_s=70nH
v_L=±15V, R_G=3,6 , t_vj=125°C
,t_vj= 25°C
,t_vj=125°C
,t_vj= 25°C
,t_vj=125°C
,t_vj= 25°C
,t_vj=125°C
v_{CE sat}
v_GE(th)
C_ies
i_CES
i_GES
i_EGS
t_on
t_s
t_f
E_on
E_off
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
Rückstromspitze
Sperrverzögerungsladung
forward voltage
i_F=400A, v_GE=0V, t_vj=25°C
v_F
i_F=400A, v_GE=0V, t_vj=125°C
peak reverse recovery current
i_F=400A, v_RM=600V, v_EG = 10V
I_RM
-di_F/dt = 2,0 kA/µs, t_vj = 25°C
-di_F/dt = 2,0 kA/µs, t_vj = 125°C
recovered charge
i_F=400A, v_RM=600V, v_EG = 10V
Q_r
-di_F/dt = 3,0 kA/µs, t_vj = 25°C
-di_F/dt = 3,0 kA/µs, t_vj = 125°C
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Transistor,DC,pro Zweig/per arm
Diode, DC, pro Modul/per module
Diode, DC, pro Zweig/per arm
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
pro Modul / per Module
Transistor / transistor
R_thJC
R_thCK
t_{vj max}
t_{c op}
t_stg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
terminals M6 / tolerance +/-15%
M1
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M4 / tolerance +/-15%
M2
terminals M8
Gewicht
weight
G
min. typ.
- 2,7
- 3,3
4,5 5,5
- 28
-
8
- 32
-
-
-
-
- 0,7
- 0,8
- 0,9
- 1,0
- 0,10
- 0,15
- 70
- 60
1200 V
400 A
800 A
2700 W
± 20 V
400 A
800 A
2,5 kV
max.
3,2 V
3,9 V
6,5 V
- nF
- mA
- mA
400 nA
400 nA
- µs
- µs
- µs
- µs
- µs
- µs
- mWs
- mWs
- 2,2
- 2,0
- 140
- 240
- 18
- 50
2,7 V
2,5 V
-A
-A
- µAs
- µAs
0,023 °C/W
0,046 °C/W
0,044 °C/W
0,088 °C/W
0,01 °C/W
0,02 °C/W
150 °C
-40...+150 °C
-40...+125 °C
Seite / page
1
AI₂O₃
5 Nm
2 Nm
8...10 Nm
ca. 1500 g
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
t_fg = 10 µs
v_L = ±15 V
R_GF = R_GR = 3,6
t_vj = 125°C
V_CC = 750 V
v_CEM = 900 V
i_CMK1 3500 A
i_CMK2 3000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v _CEM = V_CES - 20nH x |di_c/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.