DF200R12KE3 Datasheet, PDF (2/10 Pages) eupec GmbH – Hochstzulassige Werte / maximum rated values

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
I_C= 200A, V_CC= 600V
V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 25°C
V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C
I_C= 200A, V_CC= 600V
V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 25°C
V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C
I_C= 200A, V_CC= 600V
V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 25°C
V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C
I_C= 200A, V_CC= 600V
V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 25°C
V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C
I_C= 200A, V_CC= 600V, L_σ= 80nH
V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C
I_C= 200A, V_CC= 600V, L_σ= 80nH
V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C
t_P ≤ 10µs, V_GE ≤ 15V, T_Vj ≤ 125°C
V_CC= 900V, V_CEmax= V_CES - L_σCE ·di/dt
Modulinduktivität
stray inductance module
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
T_c= 25°C
Charakteristische Werte / characteristic values
Inversdiode / free wheel diode
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I_F= 200A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C
I_F= 200A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C
I_F=200A, -di_F/dt= 2000A/µs
V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C
V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C
I_F=200A, -di_F/dt= 2000A/µs
V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C
V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C
I_F= 200A, -di_F/dt= 2000A/µs
V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C
V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C
min. typ. max.
t_d,on
-
0,25
-
µs
-
0,30
-
µs
t_r
-
0,09
-
µs
-
0,10
-
µs
t_d,off
-
0,55
-
µs
-
0,65
-
µs
t_f
-
0,13
-
µs
-
0,18
-
µs
E_on
-
15
-
mJ
E_off
-
35
-
mJ
I_SC
-
800
-
A
L_σCE
-
20
-
nH
R_{CC´/EE´}
-
0,7
-
mΩ
-
1,65 2,15
V
V_F
-
1,65
-
V
I_RM
-
150
-
A
-
190
-
A
Q_r
-
20
-
µC
-
36
-
µC
E_rec
-
9
-
17
-
mJ
-
mJ
2 (8)
DB_DF200R12KE3_3.0
2002-10-07