TTB6C95N16 Datasheet, PDF (1/7 Pages) eupec GmbH – Phase Control Thyristor Module

Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT B6C 95 N 16¹⁾
(ISOPACK)
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
V_DRM, V_RRM
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T_vj = - 40°C...T_{vj max}
V_DSM
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T_vj = + 25°C...T_{vj max}
V_RSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)
I_TRMSM
Ausgangsstrom
output current
T_C = 85°C
I_d
T_C = 66°C
T_A = 45°C, KM 11
T_A = 45°C, KM 33
T_A = 35°C, KM 14 (V_L = 45l/s)
T_A = 35°C, KM 33 (V_L = 90l/s)
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T_vj = 25°C, t_p = 10ms
T_vj = T_{vj max}, t_p = 10ms
I_TSM
Grenzlastintegral
I²t-value
T_vj = 25°C, t_p = 10ms
I²t
T_vj = T_{vj max}, t_p = 10ms
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
(di/dt)_cr
f = 50Hz, i_GM = 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T_vj = T_{vj max}, v_D = 0,67 V_DRM
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
(dv/dt)_cr
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
1) gilt auch für / also valid for TD B6HK95N16
T_vj = T_{vj max}, i_T = 100A
v_T
T_vj = T_{vj max}
V_(TO)
T_vj =T_{vj max}
r_T
T_vj = 25°C, v_D = 6V
I_GT
T_vj = 25°C, v_D = 6V
V_GT
T_vj = T_{vj max}, v_D = 6V
T_vj = T_{vj max}, v_D = 0,5 V_DRM
T_vj = T_{vj max}, v_D = 0,5 V_DRM
I_GD
V_GD
T_vj = 25°C, v_D = 6V, R_A = 5Ω
I_H
T_vj = 25°C, v_D = 6V, R_GK ≥ 20Ω
I_L
i_GM = 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs, t _g = 10µs
T_vj = T_{vj max}
v_D = V_DRM, v_R = V_RRM
i_D, i_R
N
B6
1600 V
1600 V
1700 V
75 A
95
130
45
62
101
115
720
620
2590
1920
120
A
A
A
A
A
A
A
A
A²s
A²s
A/µs
1000 V/µs
max. 1,64 V
0,95 V
5,5 mΩ
max. 150 mA
max. 2,5 V
max. 5,0 mA
max. 2,5 mA
max. 0,2 V
max. 200 mA
max. 600 mA
max.
8 mA
BIP PPE4 rev. 2
19. Okt 05
A 05/05
Seite/page 1(6)