TT570N Datasheet, PDF (1/13 Pages) eupec GmbH – Phase Control Thyristor Module

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT570N
TT570N
Kenndaten
TT570N...-A
Elektrische Eigenschaften
TD570N
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM ¹⁰⁰⁰
1400
1200 V
1600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VDSM
VRSM
1000
1400
1100
1500
1200 V
1600 V
1300 V
1700 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
ITRMSM
TC = 87°C
ITAVM
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6^th letter F
ITSM
I²t
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
900 A
570 A
17000 A
14000 A
1445000 A²s
980000 A²s
200 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max , iT = 1700 A
vT
Tvj = Tvj max
V(TO)
Tvj = Tvj max
rT
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
Tvj = 25°C, vD = 6 V
VGT
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
VGD
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
IH
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
IL
iD, iR
tgd
max. 1,53 V
0,9 V
0,27 mΩ
max. 250 mA
max. 2,2 V
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,25 V
max. 300 mA
max. 1500 mA
max. 140 mA
max.
4 µs
prepared by: C.Drilling
approved by: J. Novotny
BIP AC / 08 Dec 1995, A.Rüther
date of publication: 19.12.02
revision:
1
A 128/95
Seite/page 1/12