TT330N Datasheet, PDF (1/13 Pages) List of Unclassifed Manufacturers – Phase Control Thyristor Module

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
TT330N
TD330N
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften ^{Elektrische Eigenschaften / Electrical properties}
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj = -40°C... T_{vj max}
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
V_DRM,V_RRM ¹²⁰⁰
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T_vj = -40°C... T_{vj max}
V_DSM
1200
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T_vj = +25°C... T_{vj max}
V_RSM
1300
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
I_TRMSM
T_C = 85°C
I_TAVM
T_vj = 25 °C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max}, t_P = 10 ms
T_vj = 25 °C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max}, t_P = 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i_GM = 1 A, di_G/dt = 1 A/µs
T_vj = T_{vj max}, v_D = 0,67 V_DRM
6.Kennbuchstabe / 6^th letter C
6.Kennbuchstabe / 6^th letter F
I_TSM
I²t
(di_T/dt)_cr
(dv_D/dt)_cr
1400 V
1600 V
1400 V
1600 V
1500 V
1700 V
520 A
330 A
9100 A
8000 A
414000 A²s
320000 A²s
250 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
T_vj = T_{vj max} , i_T = 800 A
v_T
T_vj = T_{vj max}
V_(TO)
T_vj = T_{vj max}
r_T
T_vj = 25°C, v_D = 6 V
I_GT
T_vj = 25°C, v_D = 6 V
V_GT
T_vj = T_{vj max} , v_D = 6 V
T_vj = T_{vj max} , v_D = 0,5 V_DRM
T_vj = T_{vj max} , v_D = 0,5 V_DRM
I_GD
V_GD
T_vj = 25°C, v_D = 6 V, R_A = 5 Ω
I_H
T_vj = 25°C, v_D = 6 V, R_GK ≥ 10 Ω
I_L
i_GM = 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g = 20 µs
T_vj = T_{vj max}
v_D = V_DRM, v_R = V_RRM
i_D, i_R
DIN IEC 747-6
t_gd
T_vj = 25 °C,i_GM = 1 A, di_G/dt = 1 A/µs
max. 1,44 V
0,80 V
0,60 mΩ
max. 200 mA
max.
2V
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,2 V
max. 300 mA
max. 1200 mA
max. 70 mA
max.
3 µs
prepared by: C.Drilling
approved by: M. Leifeld
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
date of publication: 19.01.06
revision:
2
A 01/06
Seite/page 1/13