T281N Datasheet, PDF (1/8 Pages) eupec GmbH – Phase Control Thyristor

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T281N
Vorläufige Daten
Preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum ra_Fte_ed_hlv_ea_rlu_!e_Ks _{ein Thema angegeben.}
Preepreio_Ktidtieivse_nch_npeedaVakotrf_ewo_{nräwrtasr-duonfdf-sRtaütcekawnädrtsre-Svepritszeenvsoplteagrresspannung} T_vj = +25°C... T_{vj max}
Elektrische Eigenschaften
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
T_vj = +25°C... T_{vj max}
non-repetitive peak forward off-state voltage
V_DRM,V_RRM
V_DSM
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T_vj = +25°C... T_{vj max}
V_RSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
I_TRMSM
T_C = 85 °C
T_C = 60 °C
T_vj = 25 °C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max}, t_P = 10 ms
T_vj = 25 °C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max}, t_P = 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i_GM = 3 A, di_G/dt = 6 A/µs
T_vj = T_{vj max}, v_D = 0,67 V_DRM
5.Kennbuchstabe / 5^th letter F
I_TAVM
I_TSM
I²t
(di_T/dt)_cr
(dv_D/dt)_cr
6500 V
6600 V
6600 V
600 A
280 A
380 A
5800 A
4800 A
168 10³ A²s
115 10³ A²s
150 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
v _T = A + B ⋅ i_T + C ⋅ Ln ( i_T + 1) + D ⋅ i_T
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
T_vj = T_{vj max} , i_TM = 500 A
v_T
T_vj = T_{vj max}
V_(TO)
T_vj = T_{vj max}
r_T
T_vj = T_{vj max}
T_vj = 25°C, v_D = 12 V
A=
B=
C=
D=
I_GT
T_vj = 25°C, v_D = 12 V
V_GT
T_vj = T_{vj max} , v_D = 12 V
T_vj = T_{vj max} , v_D = 0,5 V_DRM
T_vj = T_{vj max} , v_D = 0,5 V_DRM
I_GD
V_GD
T_vj = 25°C, v_D = 12 V
I_H
T_vj = 25°C, v_D = 12 V, R_GK ≥ 10 Ω I_L
i_GM = 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g = 20 µs
T_vj = T_{vj max}
v_D = V_DRM, v_R = V_RRM
i_D, i_R
DIN IEC 60747-6
t_gd
T_vj = 25 °C,i_GM = 1 A, di_G/dt = 1 A/µs
Gehäusegrenzstrom nicht spezifiziert / case non rupture current not specified
prepared by: M.Droldner
approved by: J.Przybilla
date of publication: 27.10.05
revision:
1
max. 2,75 V
1,35 V
2,8 mΩ
-2,617E-02
3,447E-03
4,376E-01
-7,459E-02
max. 350 mA
max. 2,5 V
max.
max.
max.
20 mA
10 mA
0,4 V
max. 350 mA
max. 3000 mA
max. 300 mA
max. 2,5 µs
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner
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