FS35R12KE3G Datasheet, PDF (1/8 Pages) eupec GmbH – IGBT-Modules

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
T_vj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
T_c= 80°C
T_c= 25°C
t_p= 1ms, T_c= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
T_c= 25°C
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t_p= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min
V_CES
1200
V
I_{C, nom}
35
A
I_C
55
A
I_CRM
70
A
P_tot
200
W
V_GES
+20
V
I_F
35
A
I_FRM
70
A
I²t
300
A²s
V_ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
V_GE= 15V, T_vj= 25°C, I_C= I_C,nom
V_GE= 15V, T_vj= 125°C, I_C= I_C,nom
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
V_CE= V_GE, T_vj= 25°C, I_C= 1,5mA
Gateladung
gate charge
V_GE= -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C
min. typ. max.
-
V_CEsat
-
1,7 2,15
V
2,0
-
V
V_GE(th)
5,0
5,8
6,5
V
Q_G
- 0,33
-
µC
C_ies
-
2,5
-
nF
C_res
-
0,09
-
nF
I_CES
-
-
5
mA
I_GES
-
-
400 nA
prepared by: M. Münzer
approved: M. Hierholzer
date of publication: 2002-03-04
revision: 3
1 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04