FD200R12KE3 Datasheet, PDF (1/9 Pages) eupec GmbH – Technische Information / technical information

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FD200R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
T_vj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
T_c= 80°C
T_c= 25°C
t_p= 1ms, T_c= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
T_c= 25°C, Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t_p= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
V_CES
I_{C, nom}
I_C
I_CRM
P_tot
V_GES
I_F
I_FRM
I²t
V_ISOL
1200
200
295
400
1040
+/- 20
200
400
7,8
2,5
V
A
A
A
W
V
A
A
k A²s
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
I_C= 200A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C
I_C= 200A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
I_C= 8mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C
Gateladung
gate charge
V_GE= -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
V_GE= 0V, T_vj= 25°C, V_CE= 600V
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C
min. typ. max.
-
V_CEsat
-
1,7 2,15
V
2,0
-
V
V_GE(th)
5,0
5,8
6,5
V
Q_G
-
1,9
-
µC
C_ies
-
14
-
nF
C_res
-
0,5
-
nF
I_CES
-
-
5
mA
I_GES
-
-
400 nA
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Wilhelm Rusche
date of publication: 2002-10-02
revision: 3.0
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DB_FD200R12KE3_3.0
2002-10-02