FB20R06KL4 Datasheet, PDF (1/12 Pages) eupec GmbH – IGBT-Modules

Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB20R06KL4
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Vorläufig
Preliminary
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
T_vj =25°C
T_C =80°C
T_C =80°C
t_P = 10 ms,
t_P = 10 ms,
t_P = 10 ms,
t_P = 10 ms,
T_vj = 25°C
T_vj = 150°C
T_vj = 25°C
T_vj = 150°C
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
T_vj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T_C = 65°C
T_C = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t_P = 1 ms,
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T_C = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
T _C =65°C
V_RRM
800
V
I_FRMSM
58
A
I_RMSmax
96
A
I_FSM
448
A
358
A
I²t
1000
A²s
642
A²s
V_CES
600
V
I_C,nom.
20
A
I_C
25
A
I_CRM
40
A
P_tot
80
W
V_GES
+/- 20V
V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I²t - value
t_P = 1 ms
V_R = 0V, t_p = 10ms, T_vj = 125°C
I_F
20
A
I_FRM
40
A
I²t
62
A²s
prepared by: Thomas Passe
approved by: Ingo Graf
date of publication: 2002-02-27
revision: 5
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