BSM200GD60DLC Datasheet, PDF (1/9 Pages) eupec GmbH – IGBT-Module

Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GD 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T_C= 45°C
T_C= 25°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t_P= 1ms, T_C= 45°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T_C= 25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t_P= 1ms
Grenzlastintegral der Diode
I²t - value, Diode
V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
V_CES
600
V
I_C,nom.
200
A
I_C
226
A
I_CRM
400
A
P_tot
700
W
V_GES
+/- 20V
V
I_F
200
A
I_FRM
400
A
I²t
8.450
A²s
V_ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I_C= 200A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C
I_C= 200A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I_C= 4,0mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V
V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C
V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C
V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C
min. typ. max.
-
1,95 2,45
V
V_{CE sat}
-
2,20
-
V
V_GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
C_ies
-
9
-
nF
C_res
-
0,8
-
nF
-
1
500
µA
I_CES
-
1
-
mA
I_GES
-
-
400
nA
prepared by: Andreas Vetter
approved by: Michael Hornkamp
date of publication: 2000-04-26
revision: 1
1 (8)
BSM 200 GD 60 DLC S1
2000-02-08