2SC5619 Datasheet, PDF (1/3 Pages) List of Unclassifed Manufacturers – SMALL-SIGNAL TRANSISTOR

概要
2SC5619は、超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキシャル
形トランジスタです。
高ｆTであり、また、コレクタ損失が大きく、ディスプレイモニター用
等として最適です。
外形図
特長
●ｆTが高い
ｆT=4.5GHz標準。
● Cobが小さい。Cob=1.0pF標準
● 超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能。
〈小信号トランジスタ〉
2SC5619
高周波増幅用
シリコン NPN エピタキシャル形
2.5
0.5
1.5 0.5
単位：ｍｍ
①
②
③
用途
TV チューナー、通信機、携帯電話等
記号
VCBO
VEBO
VCEO
IC
PC
Tj
Tstg
項目
コレクタ・ベース間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ電流
コレクタ損失（Ta=25℃）
接合部温度
保存温度
定格値
20
3
12
50
150
+125
-125～
+125
単位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
JEITA：SC-59
JEDEC：TO-236 類似
電極接続
①：ベース
②：エミッタ
③：コレクタ
電気的特性（Ta=25℃）
項目
コレクタ遮断電流
エミッタ遮断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
電力利得
雑音指数
記号
試験条件
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
|S21|2
NF
V _CB=10V, I _E=0mA
V _EB=1V, I _C=0mA
V _CE=5V ,I_C=20mA
V _CE=5V, I _E=-20mA
V _CB=5V, I _E=0mA,f=1MHz
V _CB=5V, I _C=20mA,f=1GHz
V _CE=5V, I _C=5mA,f=1GHz
マーキング図
最小
-
-
50
-
-
7.5
-
特性値
標準
-
-
-
4.5
1.0
9.0
1.5
最大
0.5
1.0
250
-
-
-
-
単位
μA
μA
-
GHz
pF
dB
dB
GW
形名表示
hFE ｱｲﾃﾑ