MB2S Datasheet, PDF (2/2 Pages) General Semiconductor – MINIATURE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER

Characteristics
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
TA = 40°C
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 0.4 A
VR = VRRM
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Typical Junction Capacitance
Typ. Sperrschichtkapazität
MB2S ... MB10S
Kennwerte
IFAV
0.5 A ¹)
IFAV
0.8 A ²)
VF
< 1 V ³)
IR
< 5 µA
RthA
< 75 K/W¹)
CJ
15 pF ³)
120
[%]
100
80
60
40
20
I_FAV
0
0 T_A 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
10 ²
[A]
10
T_j = 150°C
1
10 ^-1
T_j = 25°C
I_F
10 ^-2
30a-(1a-1.1v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Mounted on P.C. Board with 25 mm² copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Mounted on Alumina Substrate 2500mm² with 1 mm² copper pads at each terminal
Montage auf Aluminium-Substrat 2500mm² mit 1 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Valid per diode – Gültig pro Diode
2
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