KBU8A_07 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon-Bridge-Rectifiers

Characteristics
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50°C R-load
IFAV
C-load
IFAV
Max. rectified current with cooling fin 300 cm²
TA = 50°C R-load
IFAV
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm²
C-load
IFAV
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 8 A
VF
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
IR
Thermal resistance junction to case
RthC
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
KBU8A ... KBU8M
Kennwerte
5.6 A ¹)
4.5 A ¹)
8.0 A
6.4 A
< 1.0 V ²)
< 10 µA
< 3.0 K/W
Type
Typ
KBU8A
KBU8B
KBU8D
KBU8G
KBU8J
KBU8K
KBU8M
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
20000
10000
5000
2500
1500
1000
800
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
Rt [Ω]
0.2
0.4
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
120
[%]
100
80
60
40
20
I_FAV
0
0 T_A 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
10 ³
[A]
10²
10
T_j = 125°C
T_j = 25°C
1
I_F
10^-1
270a-(12a-1v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
2 Valid for one branch − Gültig für einen Brückenzweig
2
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