KBPC3500F_07 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon-Bridge-Rectifiers

KBPC3500F ... KBPC3516F, KBPC3500W ... KBPC3516W
Maximum ratings
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
Grenzwerte
80 A ¹)
375/400 A
660 A²s
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm²
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
TA = 50°C R-load
IFAV
C-load
IFAV
Tj = 25°C IF = 17.5 A VF
Tj = 25°C VR = VRRM IR
VISO
RthC
10-32 UNF
M5
Kennwerte
35 A
28 A
< 1.1 V ²)
< 25 µA
> 2500 V
< 1.5 K/W
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
120
[%]
100
80
60
40
20
I_FAV
0
0 T_A 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature¹)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.¹)
10³
[A]
10²
T_j = 125°C
T_j = 25°C
10
1
I_F
10^-1
375a-(17.5a-1.1v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
2 Valid per diode – Gültig pro Diode
2
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