GBU8A_16 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Single Phase Bridge Rectifier

GBU8A ... GBU8M
Characteristics
Max. rectified output current without cooling fin
TA = 50°C
R-load
IFAV
Dauergrenzstrom am Brückenausgang ohne Kühlblech
C-load
IFAV
Max. rectified output current with cooling fin 300 cm²
TA = 50°C
R-load
IFAV
Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit Kühlblech 300 cm²
C-load
IFAV
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 8 A
VF
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
VR = 4 V
Cj
Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
Kennwerte
5.6 A ¹)
4.5 A ¹)
8.0 A
6.4 A
< 1.0 V ²)
< 5 µA ²)
typ. 1500 ns ²)
80 pF ²)
< 3.0 K/W
R 3)
t
~
_
+
~
Type
Typ
C 4)
L
GBU8A
GBU8B
GBU8D
GBU8G
GBU8J
GBU8K
GBU8M
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
Rt [Ω] ³)
0.2
0.4
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
Admiss. load capacitor at Rt
Zul. Ladekondensator mit Rt
CL [µF] ⁴)
20000
10000
5000
2500
1500
1000
800
120
[%]
100
80
60
10³
[A]
10²
10
T_j = 125°C
T_j = 25°C
40
20
I_FAV
0
0 T_A 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
I_F
10^-1
270a-(12a-1v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Valid per diode – Gültig pro Diode
3 Rt = VRRM / IFSM
Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
4 CL = 5 ms / Rt
If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
2
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