GBU4A_13 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon-Bridge-Rectifiers

Characteristics
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
Max. rectified current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm²
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
TA = 50°C
TA = 50°C
Tj = 25°C
Tj = 25°C
R-load
C-load
R-load
C-load
IF = 4 A
VR = VRRM
GBU4A ... GBU4M
Kennwerte
IFAV
2.8 A ¹)
IFAV
2.2 A ¹)
IFAV
4.0 A
IFAV
3.2 A
VF
< 1.0 V ²)
IR
< 5 µA
RthC
< 3.3 K/W
Type
Typ
GBU4A
GBU4B
GBU4D
GBU4G
GBU4J
GBU4K
GBU4M
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
20000
10000
5000
2500
1500
1000
800
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
Rt [Ω]
0.25
0.5
1.0
2.0
4.0
5.0
6.5
120
[%]
100
80
60
40
20
I_FAV
0
0 T_A 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
10²
[A]
10
T_j = 125°C
1
T_j = 25°C
10^-1
I_F
10^-2
180a-(4a-1v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
2 Valid per diode – Gültig pro Diode
2
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