GBI20A_07 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon-Bridge-Rectifiers

GBI20A ... GBI20M
Characteristics
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50°C
R-load
IFAV
C-load
IFAV
Max. rectified current with forced cooling
Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung
TC = 100°C R-load
IFAV
C-load
IFAV
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 10.0 A VF
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
Thermal resistance junction to ambient air
RthJA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to case
RthJC
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Kennwerte
3.6 A ¹)
2.9 A ¹)
20.0 A
15.0 A
< 1.1 V ²)
< 10 µA
< 15 K/W ¹)
< 1.5 K/W
Type
Typ
GBI20A
GBI20B
GBI20D
GBI20G
GBI20J
GBI20K
GBI20M
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
20000
10000
5000
2500
1500
1000
800
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
RL [Ω]
0.2
0.4
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
120
[%]
100
80
60
40
20
I_FAV
0
0 T_C 50
100
150 [°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
10³
[A]
10²
10
T_j = 125°C
T_j = 25°C
1
I_F
10^-1
240a-(10a-1,1v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Valid, if leads are kept to ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Valid for one branch − Gültig für einen Brückenzweig
2
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