DBI25-08A_16 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Three Phase Bridge Rectifier

DBI25-08A ... DBI25-18A
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 12.5 A
VF
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
Tj = 150°C
IR
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
VR = 4 V
Cj
Isolation voltage terminals to case – Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
VISO
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
Thermal resistance junction to case
RthC
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
Kennwerte
< 1.05 V ¹)
< 5 µA ¹)
< 1500 µA ¹)
typ. 1500 ns ¹)
95 pF
> 2500 V
< 50 K/W ¹)
< 4.3 K/W ¹)
< 0.7 K/W ²)
120
100
[%]
100
[%]
80
60
40
20
I_FAV
0
0 T_C 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
10
Z_th
R_th
1 ₁₀-4 _[s]
10^-3
10^-2
10^-1
1
[t_p] 10
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
10³
[A]
10²
T_j = 125°C
T_j = 25°C
10
1
I_F
10^-1
350a-(12.5a-1,05v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10³
[A]
10²
î_F
10
1
(375a-25a)
10
10 ²
[n] 10³
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid per device – Gültig pro Bauteil
2
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