DBI20-04B_13 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers

DBI20-04B ... DBI20-16B
Characteristics
Max. current without cooling
Dauergrenzstrom ohne Kühlung
TA = 50°C
Max. current mounted on heatsink
Dauergrenzstrom bei Kühlkörpermontage
TC = 100°C
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Thermal resistance junction to ambient (per diode)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Diode)
Thermal resistance junction to case (per diode)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Diode)
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment
IFAV
R or C load IFAV
IF = 20 A
VF
VR = VRRM
IR
IR
VISO
RthA
RthC
M4
Kennwerte
3.0 A ¹)
20 A
< 1.3 V ²)
< 10 µA ²)
< 4 mA ²)
> 2500 V
< 50 K/W
< 5.0 K/W
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
120
[%]
100
80
60
40
20
I_FAV
0
0 T_C 50
100
150 [°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
10³
[A]
10²
10
T_j = 125°C
T_j = 25°C
1
I_F
10^-1
240a-(10a-1,1v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Valid per diode – Gültig pro Diode
2
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