DB25005_14 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers

Maximum ratings
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
DB15/25-005 ... DB15/25-16
Grenzwerte
IFRM
100 A ¹)
IFSM
350 A
IFSM
385 A
i²t
630 A²s
Tj
-50...+150°C
TS
-50...+150°C
Characteristics
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm²
TA = 50°C R-load
IFAV
C-load
IFAV
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 12.5 A
VF
Leakage current
DB15/25005 ... DB15/2504 Tj = 25°C VR = VRRM
IR
Sperrstrom
DB15/2506 ... DB15/2516 Tj = 25°C VR = VRRM
IR
Isolation voltage terminals to case – Isolationsspg. Anschlüsse zum Gehäuse VISO
Thermal resistance junction to case – Wärmewiderst. Sperrschicht – Geh.
RthC
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
10-32 UNF
M5
Kennwerte
25 A
25 A
< 1.05 V ²)
< 5 µA
< 10 µA
> 2500 V
< 2.4 K/W
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
120
[%]
100
80
60
40
20
I_FAV
0
0 T_A 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature¹)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.¹)
10³
[A]
10²
T_j = 125°C
T_j = 25°C
10
1
I_F
10^-1
350a-(12.5a-1,05v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
2 Valid per diode – Gültig pro Diode
2
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