D-BY228G_12 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Standard Si- Rectifier Didoes

Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 5 A
VF
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
trr
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
Wärmewiderstand Sperrschicht − umgebende Luft
D-BY228G
Kennwerte
< 1.3 V
< 5 µA
< 2000 ns
< 25 K/W ¹)
120
[%]
100
80
60
40
20
I_FAV
0
0 T_A 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature¹)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.¹)
10²
[A]
10²
[A]
10
1
T_j = 125°C
10^-1
T_j = 25°C
I_F
10^-2
70a-(3a-1.3v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
î_F
1
1
10
10²
[n] 10³
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1 Valid if leads are kept at ambient temperature at distance of 10 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte 1n 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG