1N4002GP_15 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Glass Passivated Silicon Rectifier Diodes

1N4002GP ... 1N4007GP, 1N4002-Q ... 1N4007-Q
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 1 A
VF
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
Tj = 125°C
VR = VRRM
IR
Reverse recovery time
trr
Sperrverzugszeit
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
RthL
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
Kennwerte
< 1.1 V
< 5 µA
< 50 µA
< 2µs ¹)
< 45 K/W ²)
< 15 K/W
120
10²
[%]
100
[A]
10
T_j = 125°C
80
T_j = 25°C
60
1
40
20
I_FAV
0
0 T_A 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature¹)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.¹)
10^-1
I_F
10^-2
50a-(1a-1.1v)
0.4 V_F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10²
[A]
10
î_F
1
1
10
10²
[n]
10³
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
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