US1A_13 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Taiwan Semiconductor Company, Ltd – 1.0AMP. High Efficient Surface Mount Rectifiers

US1A ... US1M
US1A ... US1M
Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2013-10-14
5^{± 0.2}
Nominal current – Nennstrom
1A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
1^{± 0.3}
Type
Typ
0.15
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
~ SMA
~ DO-214AC
0.07 g
4.5^{± 0.3}
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings
Type
Typ
US1A
US1B
US1D
US1G
US1J
US1K
US1M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TT = 100°C IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
1A
6 A ¹)
30 A
4.5 A²s
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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