UFT800A Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Superfast Efficient Rectifiers - Single Diode

UFT800A ... UFT800J
UFT800A ... UFT800J
Superfast Efficient Rectifiers – Single Diode
Superschnelle Hocheffizienz-Gleichrichter – Einzeldiode
Version 2011-10-17
1.2^±0.2
10.1^±0.3
Ø 3.8^±0.2
4
4
4.5^±0.2
Type
Typ
13
2.67^±0.2
0.42 ^±0.4
1.3^±0.1
1
3
0.8^±0.2
5.08^±0.1
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
8A
50...600 V
TO-220AC
1.8 g
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
UFT800A
50
50
UFT800B
100
100
UFT800C
150
150
UFT800D
200
200
UFT800F
300
300
UFT800G
400
400
UFT800H
500
500
UFT800J
600
600
Grenz- und Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] ¹)
IF = 5 A
IF = 8 A
< 0.9
< 1.0
< 0.9
< 1.0
< 0.9
< 1.0
< 0.9
< 1.0
< 1.15
< 1.25
< 1.15
< 1.25
< 1.6
< 1.75
< 1.6
< 1.75
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TC = 100°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
8A
22 A ²)
112/125 A
62 A²s
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Tj = 25°C
2 Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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