UF600A_12 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes - Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden

UF600A ... UF600M
UF600A ... UF600M
Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes – Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2012-10-01
Nominal current
6A
Nennstrom
Ø 8^±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Type
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
1.3 g
Ø 1.2^±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Type
Typ
UF600A
UF600B
UF600D
UF600G
UF600J
UF600K
UF600M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
6 A ¹)
60 A ¹)
270/300 A
370 A²s
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1