TIP31_07 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – General Purpose Silicon Power Transistors

TIP31 ... TIP31C
TIP31 ... TIP31C
NPN
General Purpose Silicon Power Transistors
Silizium Leistungs-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2006-07-12
10^±0.2
Max. power dissipation with cooling
Max. Verlustleistung mit Kühlung
3.8
4
Type
Typ
123
Collector current
Kollektorstrom
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1.5
0.9
2.54
Dimensions - Maße [mm]
1 = B 2/4 = C 3 = E
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
NPN
40 W
3A
TO-220AB
2.2 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C
Collector-Emitter-voltage
B open
VCEO
40 V
60 V
80 V
100 V
Collector-Emitter-voltage
E open
VCES
40 V
60 V
80 V
100 V
Emitter-Base-voltage
C open
VEBO
5V
Power dissipation – Verlustleistung
without cooling – ohne Kühlung TA = 25°C Ptot
with cooling – mit Kühlung
TC = 25°C
Ptot
2 W ¹)
40 W
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
3A
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
5A
Base current – Basisstrom (dc)
IB
1A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
VCE = 4 V, IC = 1 A
hFE
VCE = 4 V, IC = 3 A
hFE
Collector-Emitter saturation volt. – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)
IC = 3 A, IB = 375 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ²)
VCEsat
VCE = 4 V, IC = 3 A
VBE
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
25
–
–
10
–
50
–
–
1.2 V
–
–
1.8 V
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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