TGL41-6.8_16 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Diotec Semiconductor – SMD Transient Voltage Suppressor Diodes

TGL41-6.8 ... TGL41-440CA, TGL41-520C
TGL41-6.8 ... TGL41-440CA, TGL41-520C
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
PPPM = 400 W
PM(AV) = 1.0 W
Tjmax = 150°C
VWM = 5.5 ... 423 V
VBR = 6.8 ... 520 V
Version 2016-05-27
DO-213AB
Plastic MELF
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade ¹)
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung ¹)
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 400 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
400 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹)
Mechanical Data ¹)
Mechanische Daten ¹)
Taped and reeled
5000 / 13“
Gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx.
0.12 g
Gewicht ca.
Type Code = VBR. Cathode mark
only at unidirectional types
Case material
Solder & assembly conditions
UL 94V-0
Gehäusematerial
260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
Typ-Code = VBR. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
MSL = 1
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings ²)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current (half sine) – Stoßstrom (Sinushalbw.) 60 Hz
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
Grenzwerte²)
PPPM
400 W ³)
P_M(AV)
I_FSM
Tj
TS
1 W ⁴)
40 A ⁵)
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Max. instantaneous forward
voltageAugenblickswert der Durchlass-Spannung
I_F = 25 A
V_BR ≤ 200 V
V_BR > 200 V
VF
VF
Thermal resistance junction to ambien –Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
Kennwerte
< 3.5 V ⁵)
< 6.5 V ⁵)
< 45 K/W ⁴)
< 10 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve I_PP = f (t) / P_PP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I_PP = f (t) / P_PP = f (t)
4 Mounted on P.C. board with 25 mm² copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
5 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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