TGL200U06 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Series Connection of Ultrafast Switching Blocking Diode and Transient Voltage Suppressor

TGL200U06 … TGL200U10
TGL200U06 … TGL200U10
Series Connection of Ultrafast Switching Blocking Diode and Transient Voltage Suppressor
Reihenschaltung von ultraschneller Sperrdiode und Spannungs-Begrenzer
Version 2011-02-11
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
300 W
Repetitive peak reverse voltage (blocking diode)
Periodische Spitzensperrspannung (Sperrdiode)
600...1000 V
Nominal breakdown voltage (voltage suppressor)
Nominale Abbruchspannung (Spannungs-Begrenzer)
200 V
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
DO-213AB
Weight approx
Gewicht ca.
0.12 g
Dimensions - Maße [mm]
Ring = voltage suppressor/
Spannungsbegrenzer
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Marking:
When a positive voltage is applied to the contact marked by a ring, a 200 V break-
down can be measured; the ring does not specify the cathode of the blocking diode!
Kennzeichnung: Bei Anlegen einer positiven Spannung an den mit Ring gekennzeichneten Anschluss
kann der 200V Abbruch gemessen werden; der Ring kennzeichnet nicht die Kathode
der Sperrdiode!
Maximum ratings and Characteristics
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 25°C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
Grenz- und Kennwerte
P_M(AV)
1 W ¹)
Tj
-50...+175°C
TS
-50...+175°C
RthA
< 45 K/W
RthT
< 10 K/W
Blocking diode
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Reverse recovery time
Sperrverzug
Leakage current
Sperrstrom
TGL200U06
VRRM
TGL200U08
VRRM
TGL200U10
VRRM
IF = 0.5 A through/über trr
IR = 1 A to IR = 0.25 A
Tj = 25°C VR = VRRM
IR
Sperrdiode
600 V
800 V
1000 V
typ. 75 ns
< 10 µA
1 Mounted on P. C. board with 25 mm² copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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