SI-A1125_09 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – High Voltage Silicon Rectifier Diodes

SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Version 2009-01-22
55
Nominal current
Nennstrom
16
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Hockey-puck plastic case
Hockey-puck Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
SI-A 3000/1350-2.5
M8
Dimensions - Maße [mm]
Polarity: Cathode to stud
Polarität: Kathode am Gewinde
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
6...1.8 A
1125...8000 V
Ø 55 x 23 [mm]
125 g
Maximum ratings
Type ¹)
Typ ¹)
SI-A1125/500-6
SI-A1750/775-4
SI-A3000/1350-2.5
SI-A8000/3600-1.8
Rated DC voltage
Anschlussgleichspg.
V_RD [V]
500
775
1350
3600
Alternat. input voltage
Eingangswechselspg.
V_VRMS [V]
1125
1750
3000
8000
Grenzwerte
Rep. peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspg.
V_RRM [V]
3200
4800
8000
24000
Maximum ratings, TA = 50°C
Type
Typ
Max. average fwd. current
Dauergrenzstrom
IFRM [A]
SI-A1125/500-6
6.0
SI-A1750/775-4
4.0
SI-A3000/1350-2.5
2.5
SI-A8000/3600-1.8
1.8
Peak fwd. surge current
Stoßstrom
I_FSM [A] ²)
300
200
200
100
Grenzwerte, TA = 50°C
Rating for fusing
Grenzlastintegral
i²t [A²s] (t<10 ms)
450
200
200
50
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
Tj
-50...+150°C
TS
-50...+150°C
M8
< 72 lb.in.
< 8 Nm
1 SI-A and SI-E are identical devices – Si-A und SI-E sind identische Bauteile
2 For one 50 Hz half sine-wave – Für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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