SBX2030_14 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Schottky Barrier Rectifiers

SBX2030 ... SBX2050
SBX2030 ... SBX2050
2^nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers
2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2014-07-18
Nominal current
20 A
Nennstrom
Ø 8^±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
30...50 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
2.0 g
Ø 1.6^±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
On request taped on 13” reel
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle
Green Molding
Halogen-Free¹
Features
Up to 50V reverse voltage at low VF
Lowest value RthL for lowest Tj
Best trade-off between VF and IR ²)
1000pcs/13” reel for longer reel change intervals
Vorteile
Bis zu 50V Sperrspannung bei niedrigem VF
Niedrigster RthL Wert für niedrigstes Tj
Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR ²)
1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen
Maximum ratings and characteristics
Type
Typ
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische- / Spitzen-Sperrspannung
VRRM [V] / VRSM [V]
SBX2030
30
SBX2040
40
SBX2045
45
SBX2050
50
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 125°C
IF = 5 A
typ. 0.30
typ. 0.30
typ. 0.30
typ. 0.32
Grenz- und Kennwerte
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 20 A
< 0.45
< 0.59
< 0.45
< 0.59
< 0.45
< 0.59
< 0.47
< 0.61
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
20 A³)
IFSM
290/330 A
i²t
420 A²s
Tj
-50...+150°C
Tj
≤ 200°C ²)
TS
-50...+175°C
1 From 1H/2012 – Ab 1H/2012
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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