SBT1820 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode

SBT1820 … SBT1845
SBT1820 … SBT1845
Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode
Schottky-Barrier-Gleichrichter – Einzeldiode
Version 2011-06-27
10^±0.2
4 ^3.8
4
Type
Typ
123
1.5
123
0.9
5.08
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
18 A
20...45 V
TO-220AC
1.8 g
Green Molding
Halogen-Free¹
Typical Applications
Bypass Diodes – best trade-off between VF and IR ²)
Free-Wheeling Diodes
High Frequent Output Rectification
Typische Anwendungen
Bypass-Dioden – optimales VF und IR ²)
Freilaufdioden
Hochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische- / Spitzen-Sperrspannung
VRRM [V] / VRSM [V]
SBT1820
20
SBT1830
30
SBT1840
40
SBT1845
45
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 125°C
IF = 5 A
typ. 0.33
typ. 0.33
typ. 0.33
typ. 0.33
Grenz- und Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 18 A
< 0.50
< 0.58
< 0.50
< 0.58
< 0.50
< 0.58
< 0.50
< 0.58
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBT1820... TA = 25°C
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBT1845
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
IFAV
IFRM
IFSM
i²t
Tj
Tj
18 A
55 A ³)
280/320 A
390 A²s
-50...+150°C
≤ 200°C
1 From 4Q/2011 – Ab 4Q/2011
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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