SBT1020_13 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Schottky Barrier Rectifier Diodes . Single Diode

SBT1020 ... SBT10100
SBT1020 ... SBT10100
Schottky Barrier Rectifier Diodes – Single Diode
Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Einzeldiode
Version 2013-05-07
1.2^±0.2
10.1^±0.3
Ø 3.8^±0.2
4
4
4.5^±0.2
Type
Typ
13
2.67^±0.2
0.42^±0.1
1.3^±0.1
1
3
0.8^±0.2
5.08^±0.1
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
10 A
20...100 V
TO-220AC
1.8 g
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
SBT1020
20
20
SBT1030
30
30
SBT1040
40
40
SBT1045
45
45
SBT1050
50
50
SBT1060
60
60
SBT1090
90
90
SBT10100
100
100
Grenz- und Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] ¹)
IF = 5 A
IF = 10 A
< 0.48
< 0.55
< 0.48
< 0.55
< 0.48
< 0.55
< 0.48
< 0.55
< 0.63
< 0.70
< 0.63
< 0.70
< 0.78
< 0.85
< 0.78
< 0.85
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBT1020... TA = 25°C
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBT1060
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBT1090... TA = 25°C
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBT10100
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
IFAV
IFRM
IFSM
IFSM
i²t
Tj
Tj
10 A
30 A ¹)
135/150 A
115/125 A
80 A²s
-50...+150°C
≤ 200°C
1 Tj = 25°C
1 Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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