SBCT1020_10 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Schottky Barrier Rectifier Diodes - Common Cathode

SBCT1020 ... SBCT10100
SBCT1020 ... SBCT10100
Schottky Barrier Rectifier Diodes – Common Cathode
Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Gemeinsame Kathode
Version 2010-04-29
1.2^±0.2
4.5^±0.2
10.1^±0.3
Ø 3.8^±0.2
4
Type
Typ
123
Nominal Current
Nennstrom
4
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
2.67^±0.2
0.42 ^±0.4
1.3^±0.1
0.8^±0.2
123
2.54^±0.1
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
10 A
20...100 V
TO-220AB
2.2g
Maximum ratings
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
SBCT1020
20
20
SBCT1030
30
30
SBCT1040
40
40
SBCT1045
45
45
SBCT1050
50
50
SBCT1060
60
60
SBCT1090
90
90
SBCT10100
100
100
Grenzwerte
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] ¹) ²)
IF = 5 A IF = 10 A
< 0.55
< 0.63
< 0.55
< 0.63
< 0.55
< 0.63
< 0.55
< 0.63
< 0.70
< 0.79
< 0.70
< 0.79
< 0.85
< 0.92
< 0.85
< 0.92
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TC = 100°C
IFAV
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
1 Tj = 25°C
2 Per diode − Pro Diode
3 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
5 A ²)
10 A ³)
20 A ²)
100/120 A ²)
50 A²s ²)
-50...+150°C
-50...+175°C
1