SBCT1020 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Schottky Barrier Rectifiers - Common Cathode

SBCT1020 ... SBCT10100
SBCT1020 ... SBCT10100
Schottky Barrier Rectifiers – Common Cathode
Schottky-Barrier-Gleichrichter – Gemeinsame Kathode
Version 2007-01-17
10^±0.2
Nominal Current
Nennstrom
3.8
4
Repetitive peak reverse voltage
4
Periodische Spitzensperrspannung
Type
Typ
123
1.5
123
0.9
2.54
Dimensions - Maße [mm]
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
10 A
20...100 V
TO-220AB
2.2g
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrspannung
VRRM [V]
VRSM [V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] ¹) ²)
IF = 5 A IF = 10 A
SBCT1020
20
20
< 0.55 < 0.63
SBCT1030
30
30
< 0.55 < 0.63
SBCT1040
40
40
< 0.55 < 0.63
SBCT1045
45
45
< 0.55 < 0.63
SBCT1050
50
50
< 0.70 < 0.79
SBCT1060
60
60
< 0.70 < 0.79
SBCT1090
90
90
< 0.85 < 0.92
SBCT10100
100
100
< 0.85 < 0.92
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C IFAV
IFAV
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT1020... TA = 25°C
IFSM
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBCT1060
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT1080... TA = 25°C
IFSM
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBCT10100
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i²t
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
5 A ²)
10 A ³)
20 A ²)
100/120 A ²)
100/120 A ²)
50 A²s 2)
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Tj = 25°C
2 Per diode − Pro Diode
3 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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