SB3H150 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – High Temperature Schottky Barrier Diodes

SB3H150
Version 2014-01-22
Ø 4.5⁺-00..31
Ø 1.2^±0.05
Dimensions - Maße [mm]
SB3H150
High Temperature Schottky Barrier Diodes
Hochtemperatur-Schottky-Dioden
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
3A
150 V
~ DO-201
1g
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische / Spitzen Spitzensperrspannung
VRRM [V] / VRSM [V]
SB3H150
150
Grenz- und Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 125°C
VF [V] Tj = 25°C
IF = 3A
IF = 3A
typ. 0.63
< 0.82
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 75°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
3 A¹)
15 A ²)
100 A
50 A²s
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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