SB12H30 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – High temperature schottky barrier diodes

SB12H30 ... SB12H40
SB12H30 ... SB12H40
High temperature schottky barrier diodes
Hochtemperatur-Schottky-Dioden
Version 2013-02-25
Ø 5.4 ^±0.1
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 1.2 ^±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
12 A
30...40 V
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
1.0 g
Maximum ratings
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
SB12H30
30
30
SB12H40
40
40
Grenzwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] ¹)
IF = 5 A
IF = 12 A
< 0.51
< 0.59
< 0.51
< 0.59
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
12 A²)
IFRM
55 A ²)
IFSM
250 A
i²t
312 A²s
Tj
-50...+175°C
Tj
≤ 200°C
TS
-50...+175°C
1 Tj = 25°C
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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